產品概述：
●用于氮化鎵（GaN）單晶生長
●用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AlN）、磷化銦（InP）外延生長
產品特點：
●基礎工藝包
1.氮化鎵（GaN）單晶生長尺寸：2英寸
2.單晶生長速率：≥50微米/小時
3.藍寶石村底外延生長氮化鎵（GaN）單晶層厚度：＜200微米
●襯底：2/4/6英寸
●數量：1片/多片
●立式/臥式結構合理可靠，滿足客戶多種尺寸襯底，多種操作方式需要
●控溫精度高，溫區穩定性好
●完美可靠的安全保護功能：硬件保護+軟件互鎖
