產品概述：
●本設備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AlN）單晶生長
產品特點：
●提供兩種工藝包
①外形包：產出6英寸碳化硅（SiC）單晶，外形不開裂
②工藝包：1、產出6英寸碳化硅（SiC）單晶，生產效率3.5爐/月
2、晶體長度：≥15mm，微管密度：≤3個/cm2
3、位錯密度：104~105個/cm2
●溫度最高可達2400℃
●加熱方式：感應、電阻
●襯底尺寸：4/6/8英寸
