產品概述：

●氣相外延是一種單晶薄層生長方法。

●氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。

●在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用。

●砷化鎵（GaAs）氣相外延技術生長的砷化鎵（GaAs）純度高、電學特性好，廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中。

產品特點：

●本設備的生長室采用立式石英反應生長室。整個設備包括以下各分系統：反應生長室系統、加熱系統、襯底支架傳動系統、氣路系統、水冷卻系統、報警系統、氣體供給與純化系統、氣動系統、控制系統

●旋轉速度最大可達3000轉

●多坩堝轉換

應用范圍：

●廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場效應晶體管等微波器件中。