產品概述：

●LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一，主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。LPCVD過程是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大，使生長的薄膜均勻性好，此外基片可以豎放使得設備裝片量大，特別適用于工業化生產。

●立式LPCVD采用鐘罩式結構，設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件，具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩定性高等優點。主要用于二氧化硅、摻雜多晶硅、氮化硅膜層的制備工藝。

產品特點：

●全自動傳送，定位精準，穩定可靠

●高潔凈度工藝環境，有效控制污染

●成膜均勻性高

●溫度控制采用串級控制方式，對基片實際溫度進行實時智能控制

●裝載采用碳化硅(SiC)懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產生粉塵

●工作壓力閉環自動控制，提高工藝穩定性和重復性

技術指標：

●晶片類型：2-8英寸晶圓

●工作溫度范圍：500℃-1000℃

●恒溫區長度：≥860mm

●控溫精度：±1℃

應用范圍：

●廣泛用于半導體行業中的薄膜制備，包括石墨烯、二氧化硅、硼磷硅玻璃、氮化硅、摻雜多晶硅等多種薄膜。