產品概述：

●PECVD主要應用于氧化硅（SiO2）和氮化硅（Si3N4）材料的薄膜生長，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態，產生大量的活性基團，這些活性基團在襯底材料表面發生化學反應并沉積到村底表面，生長出氧化硅（Si02）或氮化硅（Si3N4）薄膜。

產品特點：

●成膜質量高

●體積小占地面積小,操作簡便

●具有良好的工藝性能，使用范圍廣泛

技術指標：

●晶片尺寸:最大8英寸

●溫度：50℃-900℃

●真空系統：干泵+分子泵

應用范圍：

●應用于半導體器件、電力電子器件、光電子等行業氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）薄膜的制備。