產品概述：
主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長
設備由機架、安瓿支撐機構、加熱器和控制系統組成
能夠實現安瓿移動和轉動的精確控制
產品特點：
工業計算機控制系統（WINDOWS系統界面，操作方便簡潔）
關鍵部件均采用進口，確保設備的高可靠性
控溫精度高，溫區控溫穩定性好
具有斷電報警、超溫、欠溫報警、極限超溫報警等多種安全保護功能
速度可調的梯形波、三角波及正弦波等旋轉功能
單晶質量高
技術指標：
晶片類型：4/6英寸 工作溫度范圍:1100℃
加熱器最高溫度：1250℃ 控溫精度：±0.5℃
控溫段數：4段 爐腔壓力:4MPa
應用范圍：
廣泛用于材料的坩堝下降的單晶生長